Chip di memoria flash NAND a 32nm da Toshiba

Toshiba ha annunciato lo sviluppo dei primi chip di memoria NAND Flash realizzati con processo produttivo a 32 nanometri: i sample dei moduli da 4GB sono già disponibili, mentre per quelli da 2GB ed 8GB bisognerà attendere il mese di luglio.

Toshiba rafforza la leadership nello sviluppo e realizzazione di chip di memoria basati su tecnologia NAND Flash, annunciando i suoi primi prodotti fabbricati con processo produttivo a 32 nanometri. I nuovi chip sfrutteranno l'architettura 3-bit-per-cell ed un design del circuito ottimizzato, anche se non vi saranno grossi cambiamenti a livello strutturale nei confronti degli attuali chip da 43nm 2-bit-per-cell. I sample dei chip con densità di 4GB (32 Gigabit) sono disponibili a partire da oggi, mentre per il mese di luglio dovrebbero essere pronti i primi sample con capacità di 2GB (16 Gigabit), ai quali dovrebbero seguire immediatamente le proposte da 8GB (64 Gigabit).


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