Hynix, chip DDR3 da 1 Gb a 40 nanometri

Hynix presenta chip di memoria DDR3 da 1 gigabit realizzati con processo produttivo a 40 nanometri.

Hynix Semiconductor ha annunciato di aver completato con successo lo sviluppo di chip di memoria DDR3 da 1 gigabit con il processo produttivo a 40 nanometri. I nuovi chip da 1Gb rispettano le specifiche Intel DDR3 e saranno esaminati dal produttore di microprocessori per la certificazione. Le nuove DDR3 da 1 Gb raggiungono una velocità massima di 2133Mbps (megabit al secondo) e operano con un'ampia gamma di tensioni. La produzione di massa è attesa per il terzo trimestre.


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