Samsung: moduli DDR3 da 16GB nel 2009

Chip 2Gb (gigabit) a 50nm su dual-die packages, ecco le future memorie DDR3.

I nuovi chip, caratterizzati da una densità doppia rispetto alla precedente generazione e da un consumo ridotto del 40%, permetteranno di realizzare memorie RIMM (registered in-line memory modules) da 8GB, SODIMM (small outline dual in-line memory modules) da 4GB e, in configurazioni dual-die packages, di raggiungere i 16GB di densità per moduli da piattaforme desktop e server entro il 2009. I dispositivi da 2Gb offrono un data rate di 1.3Gb/s con una tensione di alimentazione di 1.35~1.5 volt...


...continua la lettura di questa notizia.
Dinoxpc.com autorizza pc-facile.com a riportare la presente news.